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IRF9410參數(shù),IRF9410TRPBF,保護板專用MOS管4603A-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-12-28 

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IRF9410參數(shù),IRF9410TRPBF,保護板專用MOS管4603A-KIA MOS管


IRF9410參數(shù)引腳圖

漏源電壓(Vdss):30V

連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時):7A

柵源極閾值電壓:1V @ 250uA

漏源導通電阻:30mΩ @ 7A,10V

耗散功率:2.5W (Ta)

輸入電容(Ciss):550pF @25V(Vds)

上升時間:7.30 ns

IRF9410參數(shù),保護板MOS管

IRF9410參數(shù),保護板MOS管4603A

鋰電池保護板專用MOS場效應(yīng)管KNE4603A漏源擊穿電壓30V,漏極電流7A,RDS(開)典型值=16mΩ@VGS=10V;具有超低柵極電荷出色的Cdv/dt效應(yīng)下降,最大限度地減少導電損耗,最小化開關(guān)損耗等特性,滿足RoHs和綠色產(chǎn)品的要求,確保鋰電池保護板的性能穩(wěn)定可靠。


KNE4603A場效應(yīng)管是高單元密度溝槽雙N溝道MOSFET,具有出色的參數(shù),可為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供出色的RDSON和柵極電荷,適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域,在鋰電池保護板、逆變器、智能醫(yī)療領(lǐng)域熱銷;KNE4603A封裝形式:SOP-8。


KNE4603A 30V 7A場效應(yīng)管可以替代ST意法、IR、美臺、微碩、CET華瑞等品牌的IRF9410TRPBF、FZT849TA、WSE3088、CEM8958、STS7PF30型號進行使用,高效率低損耗,KIA半導體國產(chǎn)原廠現(xiàn)貨直銷。

IRF9410參數(shù),保護板MOS管


KNE4603A場效應(yīng)管參數(shù)

漏源電壓:30V

漏極電流:7A

柵源電壓(連續(xù)):±20V

脈沖漏極電流:36A

功耗:2.1W

柵極閾值電壓:2V

輸入電容:480PF

輸出電容:70PF

開通延遲時間:3.1nS

關(guān)斷延遲時間:18nS

上升時間:8.6 ns

下降時間:5ns


KNE4603A場效應(yīng)管規(guī)格書PDF

IRF9410參數(shù),保護板MOS管

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