p06p03lvg場效應管參數(shù)引腳圖,p06p03lvg代換-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-11-20
KIA7P03A場效應管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流為-7.5A；采用先進的高密度溝槽技術，具有超低柵電荷、優(yōu)良的CDV / dt效應遞減等；封裝形式：SOP-8。
KIA7P03A場效應管非常適合應用于鋰電池保護板、智能醫(yī)療等產(chǎn)品領域，KIA7P03A場效應管可以代換NIKO-SEM(尼克森) 場效應管P06P03LVG型號進行使用，KIA7P03A是高密度溝槽p-CH MOSFET，提供出色的導通電阻和大多數(shù)同步降壓轉換器應用的柵極電荷。KIA7P03A滿足RoHs和綠色產(chǎn)品要求。
RDS（ON）= 18mΩ（典型值）@ VGS = 10 V
超低柵電荷
綠色的可用設備
優(yōu)良的CDV / dt效應遞減
先進的高密度溝槽技術
產(chǎn)品型號：KIA7P03A
工作方式：-7.5A/-30V
漏源電壓：-30V
柵源電壓：±20V
漏電流連續(xù)：-7.5A
脈沖漏極電流：-50A
雪崩電流：-38A
雪崩能量：72.2mJ
耗散功率：31W
熱電阻：40℃/W
漏源擊穿電壓：-30V
溫度系數(shù)：-0.022V/℃
柵極閾值電壓：2.5V
輸入電容：1345PF
輸出電容：194PF
上升時間：19.6ns
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