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MOS管反向二極管作用詳細解析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2021-09-10 

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MOS管反向二極管作用詳細解析-KIA MOS管


MOS管反向二極管作用

MOS管電路圖中的反向二極管什么作用?


MOS管反向二極管


如圖所示,P-Base與Source電極相連。反向電流可以從Source流入P-Base,通過PN結(jié)(P-Base/N-Dift)流入Drain。


這個PN結(jié)就是MOSFET中的Body diode。其作用是導通電感負載傳導來的反向電流( H-bridge,half bridge or many other bridges)。


值得注意的是,當P-Base與Source電極相連可以阻止parasitic NPN transistor的形成(N+/P-Base/N-Drift),使MOSFET工作在可控的狀態(tài)。


Body diode的作用在很多情況下相當于Freewheeling diode(反向二極管),具體的應用限制則根據(jù)MOSFET的結(jié)構(gòu)設計而有所不同 (maximum current rating, maximum blocking voltage, reverse recovery behavior)。


下圖是二極管開關(guān)特性


MOS管反向二極管


p-channel MOSFET:


MOS管反向二極管




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