KNX3706A 60V50A? N溝道MOSFET，免費送樣 技術(shù)支持-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-04-30
KIA半導體的KNX3706A產(chǎn)品是一種高密度溝槽N-ch MOSFET，它提供了優(yōu)良的RDS(ON)和大多數(shù)同步降壓變換器應用的柵極電荷。KNX3706A滿足RoHS和綠色產(chǎn)品的要求，100%EAS保證功能的可靠性得到認可。
RDS(ON)，typ.=9mΩ@VGS=10V
氮氣保護
超低柵極電荷
最佳Cdv/dt效應衰減
高級高密度槽技術(shù)
電流：50A
電壓：60V
漏源極電壓：60V
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：100A
單脈沖雪崩能：72.2MJ
雪崩電流：38A
接頭和儲存溫度范圍：-55℃至150℃
總功耗：42W
漏源擊穿電壓:60V
輸入電容：3220pF
輸出電容：210pF
反向轉(zhuǎn)移電容：145pF
連續(xù)源電流:50A
脈沖源電流:100A
查看及下載規(guī)格書，請點擊下圖。
KIA從研發(fā)設計到制造封裝，再到倉儲和物流等擁有專業(yè)的團隊，讓客戶從一個想法變成成品，讓客戶產(chǎn)品亮點無限擴大的一體化服務。
KIA本著“攜手客戶，創(chuàng)新設計，共同提升，服務市場”的理念，期待在您的大力支持下，使KIA成為MOSFET器件領(lǐng)域的優(yōu)秀mos管品牌。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
