三相全橋MOS管驅(qū)動(dòng)電路調(diào)試記錄-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-04-15
未接入全橋時(shí)，電流轉(zhuǎn)電壓測量波形包含噪聲，周期約為17us左右，幅值為120mV左右，振蕩周期約為1.3us左右，如下圖所示。
經(jīng)過運(yùn)放放大10倍后的波形中噪聲減弱，猜測是因?yàn)檫\(yùn)放內(nèi)部的頻帶限制使高頻噪聲衰減，同時(shí)猜測該高頻噪聲來自于開關(guān)電源。
接入MOS管并且加入24V電壓后，IR2136的輸出驅(qū)動(dòng)電壓如圖所示：
測試程序：A相的上下MOS管以10ms導(dǎo)通時(shí)間交替導(dǎo)通；B相與C相都鎖定不導(dǎo)通。
低端MOS管如圖黃色通道1所示，導(dǎo)通完全正常；可是高端MOS管在導(dǎo)通接近2ms后就直接關(guān)閉，目前原因尚不清楚。
與上圖對(duì)應(yīng)的A相橋臂輸出波形如圖所示：
可見高端MOS管的導(dǎo)通與上圖的驅(qū)動(dòng)波形相對(duì)應(yīng)。
后續(xù)任務(wù)：
閱讀IR2136芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)，弄清自舉驅(qū)動(dòng)芯片的具體工作原理，并弄清楚導(dǎo)通時(shí)間的受影響因素。
增加測試：減小交替導(dǎo)通時(shí)間為2ms左右，觀察MOS管橋臂的導(dǎo)通情況。
可能是因?yàn)樽耘e電容充電時(shí)增加了限流電阻
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