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三相全橋MOS管驅(qū)動電路調(diào)試記錄-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2021-04-15 

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三相全橋MOS管驅(qū)動電路調(diào)試記錄-KIA MOS管


三相全橋MOS管驅(qū)動電路

未接入全橋時,電流轉(zhuǎn)電壓測量波形包含噪聲,周期約為17us左右,幅值為120mV左右,振蕩周期約為1.3us左右,如下圖所示。


經(jīng)過運放放大10倍后的波形中噪聲減弱,猜測是因為運放內(nèi)部的頻帶限制使高頻噪聲衰減,同時猜測該高頻噪聲來自于開關(guān)電源。


三相全橋 MOS管 驅(qū)動電路


接入MOS管并且加入24V電壓后,IR2136的輸出驅(qū)動電壓如圖所示:


測試程序:A相的上下MOS管以10ms導(dǎo)通時間交替導(dǎo)通;B相與C相都鎖定不導(dǎo)通。


低端MOS管如圖黃色通道1所示,導(dǎo)通完全正常;可是高端MOS管在導(dǎo)通接近2ms后就直接關(guān)閉,目前原因尚不清楚。


三相全橋 MOS管 驅(qū)動電路


與上圖對應(yīng)的A相橋臂輸出波形如圖所示:


可見高端MOS管的導(dǎo)通與上圖的驅(qū)動波形相對應(yīng)。


三相全橋 MOS管 驅(qū)動電路


后續(xù)任務(wù):

閱讀IR2136芯片數(shù)據(jù)手冊,弄清自舉驅(qū)動芯片的具體工作原理,并弄清楚導(dǎo)通時間的受影響因素。


增加測試:減小交替導(dǎo)通時間為2ms左右,觀察MOS管橋臂的導(dǎo)通情況。


可能是因為自舉電容充電時增加了限流電阻



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